Nederlands
Menu

Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)

Welk grondstofgas wordt gebruikt om silicium bij een lagere temperatuur af te zetten dan met monosilaan (SiH4)?

  1. ADisilaan (Si2H6)
  2. BKoolstoftetrafluoride (CF4)
  3. CStikstof (N2)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Disilaan (Si2H6)

Disilaan (Si2H6) heeft een gemakkelijker te breken Si-Si-binding dan monosilaan en ontleedt dus gemakkelijk, waardoor siliciumlagen bij een lagere temperatuur kunnen worden afgezet. Bij epitaxiale groei bij lage temperatuur is het gewaardeerd omdat de diffusie van onzuiverheden wordt onderdrukt en steile concentratieprofielen kunnen worden gemaakt. Soms wordt het nog gemakkelijker ontledende trisilaan (Si3H8) gebruikt. CF4 is een etsgas en stikstof een inert gas, en geen van beide is een grondstof voor silicium.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)

  1. Welk gas wordt bij epitaxiale groei van SiGe gebruikt als grondstof voor germanium?
  2. Welk gas wordt soms gebruikt als oxidator wanneer met silaan door CVD siliciumoxide- of oxynitridelagen worden gemaakt?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat dopantgassen zoals diboraan en fosfine in veel gevallen verdund met waterstof of stikstof tot een lage concentratie worden geleverd?
  4. Welke maatstaf wordt vaak gebruikt om de hoeveelheid sporen water in hoogzuivere gassen weer te geven?
  5. Welke methode is juist om bij kamertemperatuur vloeibare grondstoffen (zoals TEOS) als gas aan CVD-apparatuur te leveren?