Nederlands
Menu

Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)

Welk gas wordt bij epitaxiale groei van SiGe gebruikt als grondstof voor germanium?

  1. AAmmoniak (NH3)
  2. BGermaan (GeH4)
  3. CArsine (AsH3)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Germaan (GeH4)

Bij de groei van SiGe wordt samen met de siliciumgrondstof (silaan, dichloorsilaan e.d.) germaan (GeH4) als germaniumgrondstof toegevoerd, en de Ge-samenstelling wordt geregeld met de stroomverhouding. Bij de source en drain van pMOS wordt tegelijk diboraan toegevoerd om SiGe met veel boor te laten groeien, wat compressieve spanning in het kanaal geeft. Ammoniak is de grondstof voor stikstof en arsine die voor arseen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)

  1. Welk gas wordt soms gebruikt als oxidator wanneer met silaan door CVD siliciumoxide- of oxynitridelagen worden gemaakt?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat dopantgassen zoals diboraan en fosfine in veel gevallen verdund met waterstof of stikstof tot een lage concentratie worden geleverd?
  3. Welke maatstaf wordt vaak gebruikt om de hoeveelheid sporen water in hoogzuivere gassen weer te geven?
  4. Welke methode is juist om bij kamertemperatuur vloeibare grondstoffen (zoals TEOS) als gas aan CVD-apparatuur te leveren?
  5. Welke methode van afdichting, waarbij een metalen pakking vlak wordt platgedrukt, wordt veel gebruikt voor koppelingen van hoogzuivere gasleidingen?