Gateoxide waarin stikstof is ingebracht. Onderdrukt het doordringen van boor uit de gate-elektrode en verhoogt de diëlektrische constante licht; werd gebruikt als gate-isolator vóór de invoering van high-k-lagen.
Japanse benaming: 酸窒化膜(SiON)
“Oxynitride (SiON)” komt voor in 4 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Oxidatie en diffusie, Procesmaterialen (gassen, chemicaliën).
Vakgebied: Oxidatie en diffusie
Antwoord: A. De doordringing van boor uit de gate-elektrode onderdrukken en de betrouwbaarheid verhogen
Boor in een p+-polysilicium-gate dringt tijdens warmtebehandeling door het dunne gate-oxide van ongeveer 2 nm dik heen naar het kanaal en laat de drempelspanning variëren. Het inbrengen van stikstof onderdrukt de boordiffusie en verhoogt de relatieve permittiviteit van 3,9 tot ongeveer 5 à 6, zodat bij dezelfde EOT fysiek dikker kan worden gemaakt en het lek afneemt. Ook de betrouwbaarheid, zoals de weerstand tegen hot carriers, verbetert; het werd standaard gebruikt in generaties vóór High-k.
SiON met stikstof ligt bij 5 tot 6, nitridefilm (Si3N4) bij ongeveer 7 en het High-k-materiaal hafniumoxide bij ongeveer 20 tot 25.
Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittivite…Bij plasmanitridering wordt met stikstofplasma gemaakte actieve stikstof bij een relatief lage temperatuur van enkele honderden °C nabij het oppervlak van de oxidefilm ingebracht, zodat een oxynitridefilm (SiON) met ongeveer 10 tot 20% stikstof ontstaat.
Hoe heet de behandeling waarbij met plasma gegenereerde sti…Omdat het zachter reageert dan zuurstof, vormen zich in de gasfase moeilijk deeltjes, en afhankelijk van de omstandigheden kan ook een oxynitridelaag (SiON) met opgenomen stikstof worden gemaakt.
Welk gas wordt soms gebruikt als oxidator wanneer met silaa…EOT (equivalente oxidedikte) Plasma Drempelspanning (threshold voltage) Thermische oxidatie Mobiliteit Silaan (SiH4) CVD Brekingsindex Deal-Grove-model Drive-in