Thermische CVD onder verlaagde druk. Doordat gasmoleculen sneller diffunderen zijn de uniformiteit van de laagdikte en de stapbedekking goed, en in een verticale oven kunnen veel wafers tegelijk worden verwerkt. Wordt gebruikt voor het afzetten van polysilicium en nitridefilms.
Japanse benaming: LPCVD(減圧CVD)
“LPCVD (low-pressure CVD)” komt voor in 6 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Laagafzetting (CVD, PVD).
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: A. Doordat onder lage druk wordt gewerkt, is de uniformiteit van de laagdikte goed en kunnen veel wafers tegelijk worden verwerkt
LPCVD is thermische CVD bij een verlaagde druk van enkele tientallen tot enkele honderden Pa. Bij lage druk diffunderen de gasmoleculen sneller en wordt de depositiesnelheid bepaald door de oppervlaktereactie (oppervlaktereactiegelimiteerd), zodat ook wanneer meer dan 100 wafers rechtop op enkele mm afstand worden geplaatst een gelijkmatige laag wordt verkregen. De stapdekking is ook goed, en het wordt gebruikt voor polysilicium, siliciumnitride en TEOS-oxide. De temperatuur van circa 600 tot 800 °C is hoog, zodat het na de vorming van bedrading niet kan worden toegepast.
Antwoord: B. Silaan (SiH4)
Polysilicium wordt afgezet door thermische ontleding van silaan bij circa 600 tot 650 °C (SiH4 → Si + 2H2). De grootte van de kristalkorrels verandert met de depositietemperatuur, en onder circa 580 °C ontstaat amorf silicium. Het wordt gebruikt voor gate-elektroden (vóór High-k), weerstanden, elektroden van DRAM en flash en constructies van MEMS, en tijdens of na de depositie worden onzuiverheden toegevoegd om de weerstand te verlagen.
LPCVD is thermische CVD bij een verlaagde druk van enkele tientallen tot enkele honderden Pa.
Welke uitspraak over lagedruk-CVD (LPCVD) is juist?Siliciumnitride door LPCVD wordt gewoonlijk gemaakt door dichloorsilaan (SiH2Cl2) en ammoniak (NH3) bij circa 700 tot 800 °C te laten reageren (3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2), wat een dichte laag met een samenstelling dicht bij de stoichiometrische oplevert.
Welke combinatie van brongassen wordt gebruikt voor het afz…Het waterstofgehalte van LPCVD-nitride is bijvoorbeeld enkele procenten of minder, terwijl plasma-CVD-nitride circa 20 % kan bevatten.
Welk voordeel hebben lagen van thermische CVD bij hoge temp…Het hot-wall-type, dat de gehele oven verhit, heeft een gelijkmatige temperatuur en kan gemakkelijk veel wafers tegelijk verwerken; het wordt gebruikt in LPCVD-batchovens, maar de wand wordt ook bedekt en moet regelmatig worden gereinigd.
Welk type CVD-apparaat verhit alleen de tafel waarop de waf…CVD Numerieke apertuur (NA) Silaan (SiH4) Plasma TEOS MEMS Fosfine (PH3) Ionenimplantatie ALD (atomic layer deposition) Elektrolytisch plateren (ECP)