Transistorstructuur waarin de gate het kanaal van alle kanten omsluit. Betere stroombeheersing dan FinFET en wordt gebruikt in de generatie na FinFET.
Japanse benaming: GAA(ゲートオールアラウンド)
“GAA (gate-all-around)” komt voor in 20 oefenvragen uit 6 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), MOSFET, Etsen.
Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Antwoord: B. De gate omsluit het kanaal, zoals een nanosheet, over de volledige omtrek
Bij het GAA-type zijn enkele dunne plaatvormige (nanosheet) of draadvormige kanalen van enkele nm dik op elkaar gestapeld en omsluit de gate ze over de volledige omtrek. Omdat het van vier kanten wordt bestuurd, is de controle van de gate nog sterker dan bij de FinFET en worden korte-kanaaleffecten tot kortere gatelengtes onderdrukt. Samsung paste het toe bij de 3 nm-generatie (2022), TSMC bij de 2 nm-generatie en Intel bij de 18A-generatie, en het is de volgende standaardstructuur na de FinFET geworden.
Antwoord: B. nMOS en pMOS worden verticaal op elkaar gestapeld, waardoor de celoppervlakte kleiner wordt
Bij een CFET worden de nMOS en pMOS van een CMOS-schakeling niet naast elkaar geplaatst maar als nanosheets boven elkaar gestapeld, waardoor een schakeling met dezelfde functie mogelijk met bijna de helft van de oppervlakte kan worden gemaakt. Het proces om voor n en p afzonderlijke materialen en gatemetalen te maken is complex, en ook het naar buiten voeren van de bedrading naar de boven- en onderliggende transistoren is een uitdaging. Onderzoek en ontwikkeling richten zich op praktische toepassing in de jaren 2030.
Bij het GAA-type zijn enkele dunne plaatvormige (nanosheet) of draadvormige kanalen van enkele nm dik op elkaar gestapeld en omsluit de gate ze over de volledige omtrek.
Welke uitspraak over een GAA-transistor (gate-all-around) i…Bij FinFET's kan de kanaalbreedte alleen via het aantal vinnen worden bijgesteld, maar bij nanosheet-GAA kan de breedte van de gestapelde sheets (bijvoorbeeld 15 tot 50 nm) in de layout continu worden gevarieerd.
Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opz…Bij nanosheet-GAA wordt een stapel van epitaxiaal afwisselend gegroeid Si en SiGe (met circa 25 tot 30% Ge) bewerkt, en na het verwijderen van de dummy gate wordt alleen het SiGe met hoge selectiviteit geëtst, zodat de Si-sheets vrij komen te hangen.
Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistore…Bij nanosheet-GAA dringt de gate door in de ruimte tussen de sheets en staat op een afstand van enkele nm tegenover source en drain.
Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) …Samsung kondigde in 2022 aan bij de 3 nm-generatie met massaproductie van GAA-transistoren te zijn begonnen (door dat bedrijf MBCFET genoemd).
Welke combinatie van bedrijf en generatie die als eerste aa…FinFET Nanosheet Numerieke apertuur (NA) SiGe (silicium-germanium) Via Mobiliteit CFET (complementaire FET) CMOS ALD (atomic layer deposition) Drempelspanning (threshold voltage)