Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Wat gebeurt er in het algemeen met de mobiliteit van ladingdragers wanneer de onzuiverheidsconcentratie in silicium hoger wordt?

  1. ADeze verandert niet
  2. BDeze wordt kleiner
  3. CDeze wordt groter
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Deze wordt kleiner

Bij een hogere onzuiverheidsconcentratie neemt de Coulomb-verstrooiing door geïoniseerde onzuiverheden toe (verstrooiing aan geïoniseerde onzuiverheden) en daalt de mobiliteit. Bij elektronen in silicium daalt deze van ca. 1350 cm²/V·s bij 10¹⁵ cm⁻³ tot ca. 100 cm²/V·s bij 10¹⁹ cm⁻³. De resistiviteit daalt daardoor minder sterk dan de concentratie toeneemt. Dit is een van de redenen om het MOSFET-kanaal laag gedoteerd te houden, en FinFET en GAA kunnen een laag gedoteerd kanaal gebruiken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat is de juiste definitie van de werkfunctie van een materiaal?
  2. Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittiviteit van silicium?
  3. Welke waarde ligt het dichtst bij de elektronenmobiliteit van zuiver silicium bij kamertemperatuur?
  4. Wat is de juiste reden dat bij een halfgeleider met indirecte overgang zoals silicium de kans klein is dat elektron en gat recombineren onder uitzending van licht?
  5. Hoe heet het niveau dat wordt ingevoerd om de elektronendichtheid en de gatendichtheid elk afzonderlijk weer te geven in een halfgeleider die door belichting of stroominjectie uit thermisch evenwicht is?