GAA-transistorstructuur waarin meerdere dunne, plaatvormige siliciumkanalen verticaal op elkaar zijn gestapeld en elk door de gate worden omsloten. De stroom is af te stellen via de breedte van de sheets.
Japanse benaming: ナノシート
“Nanosheet” komt voor in 8 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).
Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Antwoord: B. De aandrijfstroom kan flexibeler worden bijgesteld door de breedte van de nanosheets te veranderen
Bij FinFET's kan de kanaalbreedte alleen via het aantal vinnen worden bijgesteld, maar bij nanosheet-GAA kan de breedte van de gestapelde sheets (bijvoorbeeld 15 tot 50 nm) in de layout continu worden gevarieerd. Aandrijfstroom en capaciteit kunnen flexibel worden ontworpen, bijvoorbeeld brede sheets voor high-performance-cellen en smalle voor laag vermogen of SRAM. Door de gate over de volledige omtrek is GAA bovendien bestand tegen korte-kanaaleffecten en levert het bij dezelfde oppervlakte een grotere stroom dan een FinFET.
Antwoord: B. Om in de ontstane ruimte de gate-isolator en gate-elektrode te vullen, zodat de gate de Si-nanosheets over de volledige omtrek omsluit
Bij nanosheet-GAA wordt een stapel van epitaxiaal afwisselend gegroeid Si en SiGe (met circa 25 tot 30% Ge) bewerkt, en na het verwijderen van de dummy gate wordt alleen het SiGe met hoge selectiviteit geëtst, zodat de Si-sheets vrij komen te hangen. Als in de ruimte daartussen met ALD een high-k-film en metal gate worden gevuld, ontstaat een structuur waarin de gate elke sheet aan boven-, onder- en zijkanten omsluit. Selectief etsen waarbij alleen het SiGe wordt verwijderd zonder de sheets te beschadigen, is de sleutel in de productie.
Bij FinFET's kan de kanaalbreedte alleen via het aantal vinnen worden bijgesteld, maar bij nanosheet-GAA kan de breedte van de gestapelde sheets (bijvoorbeeld 15 tot 50 nm) in de layout continu worden gevarieerd.
Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opz…Bij nanosheet-GAA wordt een stapel van epitaxiaal afwisselend gegroeid Si en SiGe (met circa 25 tot 30% Ge) bewerkt, en na het verwijderen van de dummy gate wordt alleen het SiGe met hoge selectiviteit geëtst, zodat de Si-sheets vrij komen te hangen.
Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistore…Bij nanosheet-GAA dringt de gate door in de ruimte tussen de sheets en staat op een afstand van enkele nm tegenover source en drain.
Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) …Een nanosheet is een dun plaatvormig siliciumkanaal van circa 5 nm dik en tien tot enkele tientallen nm breed, waarvan circa drie boven elkaar worden gestapeld en die elk door de gate over de volledige omtrek worden omsloten.
Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-G…Bij de huidige nanosheet-GAA worden gewoonlijk circa drie sheets op elkaar gestapeld.
Hoeveel nanosheets worden in massaproductie van nanosheet-G…GAA (gate-all-around) FinFET Via SiGe (silicium-germanium) Numerieke apertuur (NA) Selectiviteit ALD (atomic layer deposition) Epitaxiale groei CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization)