Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over de transistorprestatie-indicator 'Ion/Ioff-verhouding' is juist?

  1. ADe verhouding tussen de stroom in de aan-toestand en de lekstroom in de uit-toestand; hoe groter, hoe beter de transistor als schakelaar
  2. BDe verhouding tussen gatelengte en gatebreedte
  3. CDe verhouding tussen voedingsspanning en drempelspanning
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De verhouding tussen de stroom in de aan-toestand en de lekstroom in de uit-toestand; hoe groter, hoe beter de transistor als schakelaar

De Ion/Ioff-verhouding is de verhouding tussen de stroom in de aan-toestand en de lekstroom in de uit-toestand en bedraagt bij geavanceerde logica circa 10⁴ tot 10⁶. Hoe groter, hoe beter de schakelaar die snel werkt met weinig lekstroom in stand-by. Als de voedingsspanning wordt verlaagd, daalt Ion als de drempelspanning niet wordt verlaagd, en neemt Ioff toe als die wel wordt verlaagd, zodat het combineren moeilijk wordt. FinFET's en GAA, die de subthreshold-coëfficiënt steiler maken, kunnen bij dezelfde Ioff een grotere Ion halen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Hoe is de subthreshold-coëfficiënt (SS) in het algemeen veranderd door de overgang van planaire transistoren naar FinFET's?
  2. Hoe heet de aanpak waarbij, nu verkleining fysiek moeilijker wordt, ontwerp en proces tegelijk worden onderzocht om oppervlakte en prestaties te optimaliseren?
  3. Hoeveel nanosheets worden in massaproductie van nanosheet-GAA-transistoren gewoonlijk per transistor op elkaar gestapeld?
  4. Welke structuur brengt de nMOS- en pMOS-nanosheets dichter bij elkaar met een dunne isolerende wand ertussen, waardoor de celoppervlakte kleiner wordt?
  5. Hoe heet de toestand waarin het kanaal zo kort is geworden dat ladingdragers vrijwel zonder verstrooiing van source naar drain doorschieten?

Vergelijkingen bij dit onderwerp