Nederlands
Menu

MOSFET

Wat gebeurt er met de drempelspanning als de onzuiverheidsconcentratie van het kanaalgebied (p-type substraat) van een nMOSFET wordt verhoogd?

  1. AWordt hoger
  2. BWordt lager
  3. CVerandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Wordt hoger

Bij een hoge onzuiverheidsconcentratie van het substraat is de acceptorlading in de uitputtingslaag groter voordat het oppervlak is geïnverteerd en wordt ook de Fermi-potentiaal φF groter, zodat een grotere gatespanning nodig is. De drempelspanning wordt daarom hoger. Dat Vth met ionenimplantatie in het kanaal wordt ingesteld, is een toepassing van deze eigenschap. Bij hoge concentratie nemen echter de mobiliteit af en de spreiding (fluctuatie in het aantal dopanten) toe, dus bij FinFET's en GAA wordt het kanaal vrijwel ongedoteerd gelaten en Vth door de werkfunctie bepaald.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat gebeurt er in het algemeen met de grootte van de drempelspanning van een nMOSFET als de gate-isolator dikker wordt gemaakt zonder andere condities te wijzigen?
  2. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?
  3. Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?
  4. Hoe hoog stijgt de uitgangsspanning ongeveer in een pass-transistor (schakelaar) met slechts één nMOSFET, wanneer de gate op de voedingsspanning VDD staat en VDD van de ingang naar de uitgang wordt doorgegeven?
  5. Hoe heet bij een CMOS-inverter de stroom die van de voeding naar de aarde loopt terwijl de ingang omschakelt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp