Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistoren uit de laag van afwisselend gestapeld Si en SiGe alleen de SiGe-laag selectief verwijderd?

  1. AOm de transistor lichter te maken
  2. BOm in de ontstane ruimte de gate-isolator en gate-elektrode te vullen, zodat de gate de Si-nanosheets over de volledige omtrek omsluit
  3. COmdat SiGe geen elektriciteit geleidt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Om in de ontstane ruimte de gate-isolator en gate-elektrode te vullen, zodat de gate de Si-nanosheets over de volledige omtrek omsluit

Bij nanosheet-GAA wordt een stapel van epitaxiaal afwisselend gegroeid Si en SiGe (met circa 25 tot 30% Ge) bewerkt, en na het verwijderen van de dummy gate wordt alleen het SiGe met hoge selectiviteit geëtst, zodat de Si-sheets vrij komen te hangen. Als in de ruimte daartussen met ALD een high-k-film en metal gate worden gevuld, ontstaat een structuur waarin de gate elke sheet aan boven-, onder- en zijkanten omsluit. Selectief etsen waarbij alleen het SiGe wordt verwijderd zonder de sheets te beschadigen, is de sleutel in de productie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?
  2. Welke factor die de prestaties beperkt, wordt belangrijker bij transistoren die steeds verder zijn verkleind?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van materialen zoals molybdeendisulfide (MoS2), dat wordt onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige extreem kleine transistoren, is juist?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het epitaxiaal opbouwen van kristal op de vinnen in source en drain van een FinFET?
  5. Welke uitspraak over de basismethode om de contactweerstand tussen metaal en halfgeleider te verlagen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp