Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Hoeveel nanosheets worden in massaproductie van nanosheet-GAA-transistoren gewoonlijk per transistor op elkaar gestapeld?

  1. A1
  2. BCirca 3
  3. CCirca 100
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Circa 3

Bij de huidige nanosheet-GAA worden gewoonlijk circa drie sheets op elkaar gestapeld. Met meer sheets neemt de stroom bij dezelfde oppervlakte toe, maar de stapel wordt hoger, waardoor epitaxiale groei van source en drain en het vullen van gate tussen de sheets moeilijker worden, en de invloed van parasitaire weerstand en capaciteit groter wordt naarmate de sheet lager ligt. Door toenemende parasitaire capaciteit is het bovendien nadeliger voor het vermogen dan voor de snelheid, dus het aantal sheets wordt bepaald door de balans tussen effect en moeilijkheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke structuur brengt de nMOS- en pMOS-nanosheets dichter bij elkaar met een dunne isolerende wand ertussen, waardoor de celoppervlakte kleiner wordt?
  2. Hoe heet de toestand waarin het kanaal zo kort is geworden dat ladingdragers vrijwel zonder verstrooiing van source naar drain doorschieten?
  3. Welke transistor heeft source, kanaal en drain van hetzelfde geleidingstype en dezelfde concentratie, en heeft dus geen pn-junctie?
  4. Wat is het doel van een laag met hoge onzuiverheidsconcentratie aan de voet van de vin (het deel dat de gate moeilijk bestuurt) bij een FinFET op een bulksubstraat?
  5. Welke uitspraak over de 'schaallengte (natuurlijke lengte) λ', die wordt gebruikt om de sterkte van korte-kanaaleffecten te schatten, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp