Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke combinatie van bedrijf en generatie die als eerste aankondigde GAA-transistoren (nanosheet) in massaproductie te nemen, is juist?

  1. ADe 45 nm-generatie van Intel
  2. BDe 3 nm-generatie van Samsung (2022)
  3. CDe 28 nm-generatie van TSMC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De 3 nm-generatie van Samsung (2022)

Samsung kondigde in 2022 aan bij de 3 nm-generatie met massaproductie van GAA-transistoren te zijn begonnen (door dat bedrijf MBCFET genoemd). TSMC past GAA toe bij de 2 nm-generatie (N2) en Intel bij de 18A-generatie (RibbonFET), en de massaproductie komt vanaf circa 2025 goed op gang. Bij GAA zijn de flexibiliteit om de breedte van nanosheets te variëren en de combinatie met nieuwe technieken zoals voeding via de achterzijde de sleutel tot prestatieverbetering.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over het belangrijkste doel van het verkleinen van transistoren is juist?
  2. Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-GAA-transistor wordt bedoeld, is juist?
  3. Waar staat de k in 'high-k-gate-isolator' voor?
  4. Welke waarde komt het dichtst bij de effectieve kanaalbreedte (de lengte van de door de gate omsloten omtrek) per vin van een FinFET met een vinhoogte van 50 nm en een breedte van 6 nm?
  5. Welke eis wordt over het algemeen gesteld aan de breedte van de vin om korte-kanaaleffecten bij een FinFET voldoende te onderdrukken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp