Welke uitspraak over de kenmerken van materialen zoals molybdeendisulfide (MoS2), dat wordt onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige extreem kleine transistoren, is juist?

Antwoord: B. Het is een 2D-materiaal dat zelfs bij een dikte van enkele atoomlagen als halfgeleider werkt

Overgangsmetaaldichalcogeniden zoals MoS2 zijn 2D-materialen die zelfs als enkele laag ter dikte van drie atomen (circa 0,65 nm) halfgeleidereigenschappen behouden. Doordat er aan het oppervlak geen openstaande bindingen zijn, daalt de mobiliteit bij dunner worden nauwelijks. Bij silicium daalt de mobiliteit sterk door verstrooiing aan oppervlakteruwheid als het dunner wordt dan enkele nm; MoS2 wordt daarom onderzocht als kandidaat voor extreem dunne kanalen na GAA, met als uitdagingen uniforme afzetting over een groot oppervlak en contacten met lage weerstand.