Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over een GAA-transistor (gate-all-around) is juist?

  1. AAlleen de bovenkant van het kanaal wordt door de gate bedekt
  2. BDe gate omsluit het kanaal, zoals een nanosheet, over de volledige omtrek
  3. CEr is geen gate en de transistor werkt met alleen source en drain
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De gate omsluit het kanaal, zoals een nanosheet, over de volledige omtrek

Bij het GAA-type zijn enkele dunne plaatvormige (nanosheet) of draadvormige kanalen van enkele nm dik op elkaar gestapeld en omsluit de gate ze over de volledige omtrek. Omdat het van vier kanten wordt bestuurd, is de controle van de gate nog sterker dan bij de FinFET en worden korte-kanaaleffecten tot kortere gatelengtes onderdrukt. Samsung paste het toe bij de 3 nm-generatie (2022), TSMC bij de 2 nm-generatie en Intel bij de 18A-generatie, en het is de volgende standaardstructuur na de FinFET geworden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welk verschijnsel is een kortekanaaleffect van MOSFET's?
  2. Wat is de belangrijkste reden om een high-k-materiaal (hoge diëlektrische constante) als gate-isolator te gebruiken?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het aanbrengen van spanning (stress) op het kanaal van een transistor?
  4. Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?
  5. Welke uitspraak over de SOI-structuur (Silicon On Insulator) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp