Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?

Antwoord: B. De uitputtingslagen van source en drain raken verbonden en er loopt een stroom die niet met de gate te regelen is

Bij een kort kanaal en een lage substraatconcentratie raakt door de drainspanning de uitputtingslaag aan de drainzijde verbonden met die aan de sourcezijde, en loopt los van de gate een stroom diep in het substraat, waardoor uitschakelen niet meer mogelijk is. Dit is punch-through. Tegenmaatregelen zijn een laag met hoge concentratie onder source en drain (halo-/pocket-implantatie), ondiepere overgangen en, zoals bij FinFET en GAA, de gate rond het kanaal te leggen zodat het niet-regelbare stroompad verdwijnt.