Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-GAA-transistor wordt bedoeld, is juist?

Antwoord: B. Een dun plaatvormig siliciumkanaal van enkele nm dik, dat boven elkaar gestapeld wordt gebruikt

Een nanosheet is een dun plaatvormig siliciumkanaal van circa 5 nm dik en tien tot enkele tientallen nm breed, waarvan circa drie boven elkaar worden gestapeld en die elk door de gate over de volledige omtrek worden omsloten. Het is als de vinnen van een FinFET die zijn neergelegd en gestapeld, en de stroom kan met de breedte van de sheets worden bijgesteld. De onderlinge afstand van de sheets is circa 10 nm en voor het vullen van die ruimte met gate-isolator en gatemetaal is een geavanceerde afzettingstechniek nodig.