Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over de manier om de effectieve kanaalbreedte van een FinFET in te stellen is juist?

  1. AZe wordt ingesteld via het aantal vinnen, dus de kanaalbreedte kent discrete waarden
  2. BZe wordt ingesteld via de grootte van de gatespanning
  3. CZe kan zoals bij het planaire type op elke continue waarde worden gezet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ze wordt ingesteld via het aantal vinnen, dus de kanaalbreedte kent discrete waarden

Bij een FinFET liggen hoogte en breedte van de vinnen door het proces vast, dus de kanaalbreedte wordt ingesteld via het aantal vinnen en is een discrete waarde van 'zoveel vinnen' (breedtekwantisering). Het is daardoor moeilijk om in analoge schakelingen subtiele stroomverhoudingen te maken of de sterkteverhouding van de transistoren van een SRAM-cel fijn in te stellen, wat een ontwerpbeperking vormt. Nanosheet-GAA verzacht deze beperking.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?
  2. Wat is een van de belangrijkste middelen om bij high-k/metal-gate-transistoren de drempelspanning in te stellen?
  3. Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement metal gate) is juist?
  4. Welk voordeel van een volledig uitgeputte SOI-transistor (FD-SOI) is juist?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij kleine transistoren de drempelspanning spreidt door statistische variatie in het aantal en de positie van onzuiverheidsatomen in het kanaal?

Vergelijkingen bij dit onderwerp