Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opzichte van FinFET's is juist?

  1. ADe kanaalbreedte kan alleen via het aantal vinnen worden veranderd
  2. BDe aandrijfstroom kan flexibeler worden bijgesteld door de breedte van de nanosheets te veranderen
  3. CDe gatelengte heeft geen invloed op de eigenschappen van de transistor
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De aandrijfstroom kan flexibeler worden bijgesteld door de breedte van de nanosheets te veranderen

Bij FinFET's kan de kanaalbreedte alleen via het aantal vinnen worden bijgesteld, maar bij nanosheet-GAA kan de breedte van de gestapelde sheets (bijvoorbeeld 15 tot 50 nm) in de layout continu worden gevarieerd. Aandrijfstroom en capaciteit kunnen flexibel worden ontworpen, bijvoorbeeld brede sheets voor high-performance-cellen en smalle voor laag vermogen of SRAM. Door de gate over de volledige omtrek is GAA bovendien bestand tegen korte-kanaaleffecten en levert het bij dezelfde oppervlakte een grotere stroom dan een FinFET.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?
  2. Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistoren uit de laag van afwisselend gestapeld Si en SiGe alleen de SiGe-laag selectief verwijderd?
  3. Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?
  4. Welke factor die de prestaties beperkt, wordt belangrijker bij transistoren die steeds verder zijn verkleind?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van materialen zoals molybdeendisulfide (MoS2), dat wordt onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige extreem kleine transistoren, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp