Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?

Antwoord: B. nMOS en pMOS worden verticaal op elkaar gestapeld, waardoor de celoppervlakte kleiner wordt

Bij een CFET worden de nMOS en pMOS van een CMOS-schakeling niet naast elkaar geplaatst maar als nanosheets boven elkaar gestapeld, waardoor een schakeling met dezelfde functie mogelijk met bijna de helft van de oppervlakte kan worden gemaakt. Het proces om voor n en p afzonderlijke materialen en gatemetalen te maken is complex, en ook het naar buiten voeren van de bedrading naar de boven- en onderliggende transistoren is een uitdaging. Onderzoek en ontwikkeling richten zich op praktische toepassing in de jaren 2030.