Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) tussen gate en source/drain bij de ruimte tussen de sheets van nanosheet-GAA?

  1. ADe parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain verkleinen en kortsluiting voorkomen
  2. BHet kanaal licht laten uitstralen
  3. CStroom versterken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain verkleinen en kortsluiting voorkomen

Bij nanosheet-GAA dringt de gate door in de ruimte tussen de sheets en staat op een afstand van enkele nm tegenover source en drain. De inner spacer is een isolator, zoals een nitridefilm, die de ruimte vult die ontstaat door de uiteinden van het SiGe iets te laten terugwijken (recess), en hij verkleint de parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain en voorkomt kortsluiting. Hij dient ook als etsstop die source en drain beschermt bij het verwijderen van SiGe.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Wat is, wanneer de hoogte van een standaardcel wordt uitgedrukt in het aantal bedradingstracks, het juiste effect van het verminderen van het aantal tracks?
  2. Wat is het doel van het gebruik van meerdere soorten transistoren met verschillende drempelspanning in dezelfde chip?
  3. Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?
  4. Waarom worden SiGe of germanium overwogen en toegepast als kanaalmateriaal voor pMOS in plaats van silicium?
  5. Welke methode van driedimensionale integratie, waarbij lagen transistoren achtereenvolgens op de wafer worden opgebouwd en geen chips op elkaar worden gebonden, is dit?

Vergelijkingen bij dit onderwerp