Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) tussen gate en source/drain bij de ruimte tussen de sheets van nanosheet-GAA?
- ADe parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain verkleinen en kortsluiting voorkomen
- BHet kanaal licht laten uitstralen
- CStroom versterken
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain verkleinen en kortsluiting voorkomen
Bij nanosheet-GAA dringt de gate door in de ruimte tussen de sheets en staat op een afstand van enkele nm tegenover source en drain. De inner spacer is een isolator, zoals een nitridefilm, die de ruimte vult die ontstaat door de uiteinden van het SiGe iets te laten terugwijken (recess), en hij verkleint de parasitaire capaciteit tussen gate en source/drain en voorkomt kortsluiting. Hij dient ook als etsstop die source en drain beschermt bij het verwijderen van SiGe.
Verder: nog 9 vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)