MOSFET

Bij gelijke afmetingen heeft een nMOS doorgaans een grotere aandrijfstroom dan een pMOS. Wat is de belangrijkste reden?

  1. AOmdat de gate-oxide van de nMOS altijd dikker is
  2. BOmdat een pMOS geen gate-elektrode heeft
  3. COmdat de mobiliteit van elektronen in het kanaal groter is dan die van gaten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Omdat de mobiliteit van elektronen in het kanaal groter is dan die van gaten

In een nMOS vloeien elektronen door het kanaal en in een pMOS gaten; in de inversielaag van silicium is de mobiliteit van elektronen ongeveer 2 tot 3 keer die van gaten, dus bij gelijke afmetingen kan een nMOS meer stroom voeren. In CMOS wordt dit in balans gebracht door de gatebreedte van de pMOS groter te maken. In geavanceerde processen wordt de mobiliteit van de pMOS verhoogd met drukspanning door SiGe, en bij FinFET's vormt het (110)-vlak, waarin gaten gemakkelijk stromen, soms de zijwand van de fin, zodat het verschil sterk is verkleind.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat gebeurt er met de drempelspanning van een n-kanaal MOSFET wanneer het substraat (body) een negatieve spanning ten opzichte van de source krijgt (substraatvoorspanning)?
  2. Welke eigenschap van een depletion-type MOSFET is juist?
  3. Welke waarde ligt het dichtst bij de theoretische ondergrens van de subthreshold-coëfficiënt van een MOSFET (de gatespanning die nodig is om de drainstroom onder de drempel een decade te veranderen) bij kamertemperatuur?
  4. Welk gedrag van een MOSFET is juist in het lineaire gebied, waar de drain-sourcespanning VDS voldoende klein is?
  5. Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) van een MOSFET?

Vergelijkingen bij dit onderwerp