Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Welke uitspraak over een structureel kenmerk van de FinFET is juist?
- AHet kanaal staat als een vin (fin) rechtop en de gate omsluit het van drie kanten
- BAlleen de bovenkant van het kanaal wordt door een vlakke gate bedekt
- CEr wordt geen gate-isolator gebruikt en metaal maakt direct contact met het kanaal
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Het kanaal staat als een vin (fin) rechtop en de gate omsluit het van drie kanten
Een FinFET is een driedimensionale transistor waarbij silicium als een vin met een breedte van enkele nm tot ruim tien nm en een hoogte van enkele tientallen nm rechtop staat en de gate beide zijkanten en de bovenkant omsluit. Omdat de gate het kanaal van drie kanten bestuurt, worden korte-kanaaleffecten gemakkelijker onderdrukt dan bij het planaire type en neemt de lekstroom in de uit-toestand af. Bovendien kan in de hoogterichting stroompad worden verkregen, zodat met een kleine oppervlakte een grote stroom wordt behaald. Sinds de 22 nm-generatie is de FinFET de standaard voor geavanceerde logica.
Verder: nog 9 vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)