Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over een structureel kenmerk van de FinFET is juist?

  1. AHet kanaal staat als een vin (fin) rechtop en de gate omsluit het van drie kanten
  2. BAlleen de bovenkant van het kanaal wordt door een vlakke gate bedekt
  3. CEr wordt geen gate-isolator gebruikt en metaal maakt direct contact met het kanaal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het kanaal staat als een vin (fin) rechtop en de gate omsluit het van drie kanten

Een FinFET is een driedimensionale transistor waarbij silicium als een vin met een breedte van enkele nm tot ruim tien nm en een hoogte van enkele tientallen nm rechtop staat en de gate beide zijkanten en de bovenkant omsluit. Omdat de gate het kanaal van drie kanten bestuurt, worden korte-kanaaleffecten gemakkelijker onderdrukt dan bij het planaire type en neemt de lekstroom in de uit-toestand af. Bovendien kan in de hoogterichting stroompad worden verkregen, zodat met een kleine oppervlakte een grote stroom wordt behaald. Sinds de 22 nm-generatie is de FinFET de standaard voor geavanceerde logica.

Doorsnede van een planaire transistor en een FinFET Planair Gate De gate stuurt alleen het bovenvlak aan FinFET Gate Fin De gate omsluit de fin aan drie zijden (boven- en beide zijvlakken)
Doorsnede van een planaire transistor en een FinFET · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over een GAA-transistor (gate-all-around) is juist?
  2. Welk verschijnsel is een kortekanaaleffect van MOSFET's?
  3. Wat is de belangrijkste reden om een high-k-materiaal (hoge diëlektrische constante) als gate-isolator te gebruiken?
  4. Wat is het belangrijkste doel van het aanbrengen van spanning (stress) op het kanaal van een transistor?
  5. Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp