Ein 3D-Transistor, dessen Kanal wie eine Finne aufrecht steht und vom Gate an drei Seiten umschlossen wird. Er unterdrückt Kurzkanaleffekte gut.
Japanische Bezeichnung: FinFET
Fachgebiet: Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA)
CFET (komplementärer FET) DTCO (Entwurf-Technologie-Co-Optimierung) EOT (äquivalente Oxiddicke) FD-SOI (vollständig verarmtes SOI) GAA (Gate-all-around) Gate-last (Replacement-Metal-Gate) High-k/Metall-Gate Nanosheet-Transistor SADP (selbstjustierte Doppelstrukturierung) Zufällige Dotierstoffschwankung (RDF)