Verschijnsel waarbij de uitputtingslagen van source en drain samenkomen en een door de gate niet te regelen stroom gaat lopen. Treedt op als het kanaal te kort of de substraatconcentratie te laag is.
Japanse benaming: パンチスルー
“Punch-through” komt voor in 5 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, MOSFET, Bipolaire transistor.
Vakgebied: MOSFET
Antwoord: B. De uitputtingslagen van source en drain raken verbonden en er loopt een stroom die niet met de gate te regelen is
Bij een kort kanaal en een lage substraatconcentratie raakt door de drainspanning de uitputtingslaag aan de drainzijde verbonden met die aan de sourcezijde, en loopt los van de gate een stroom diep in het substraat, waardoor uitschakelen niet meer mogelijk is. Dit is punch-through. Tegenmaatregelen zijn een laag met hoge concentratie onder source en drain (halo-/pocket-implantatie), ondiepere overgangen en, zoals bij FinFET en GAA, de gate rond het kanaal te leggen zodat het niet-regelbare stroompad verdwijnt.
Dit is punch-through.
Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?Daar staat tegenover dat de basisweerstand groter wordt en punch-through, waarbij het uitputtingsgebied van de collector de emitter bereikt, gemakkelijker optreedt, wat qua doorslagspanning ongunstig is.
Wat is de meest passende reden om de basis van een bipolair…Nabij de voet van de vin wordt een laag met hoge concentratie van het tegengestelde geleidingstype van het kanaal aangebracht (punch-through stopper) om de lekstroom langs dit pad te onderdrukken.
Wat is het doel van een laag met hoge onzuiverheidsconcentr…Terwijl de concentratie aan het oppervlak laag wordt gehouden, passend bij de transistoreigenschappen, wordt op grote diepte een hoge concentratie gemaakt, waardoor punch-through en latch-up (werking van een parasitaire thyristor) worden onderdrukt.
Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge…Doordat de uitputtingszone die zich vanuit de drain uitbreidt wordt onderdrukt, worden ook bij kleinere gatelengte de daling van de drempelspanning en punch-through onderdrukt.
Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie…Halo-implantatie (pocket-implantatie) FinFET Uitputtingslaag (depletion layer) GAA (gate-all-around) Diffusielengte CMOS Ionenimplantatie Retrograde well Latch-up Thermische diffusie