Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke waarde komt het dichtst bij de effectieve kanaalbreedte (de lengte van de door de gate omsloten omtrek) per vin van een FinFET met een vinhoogte van 50 nm en een breedte van 6 nm?

  1. A106 nm
  2. B6 nm
  3. C56 nm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. 106 nm

Omdat de gate beide zijkanten en de bovenkant van de vin omsluit, is de effectieve kanaalbreedte per vin 2 × hoogte + breedte = 2 × 50 + 6 = 106 nm. Bij een vinpitch van bijvoorbeeld 30 nm is dat meer dan het drievoudige van de breedte die in dezelfde oppervlakte bij het planaire type wordt verkregen, en hoe hoger de vin, hoe meer stroom zonder meer oppervlakte. Als de vin te hoog wordt, kunnen de smalle vinnen echter omvallen of spreidt de bewerking, dus een hoogte van circa 50 nm wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke eis wordt over het algemeen gesteld aan de breedte van de vin om korte-kanaaleffecten bij een FinFET voldoende te onderdrukken?
  2. Waarom wordt bij high-k/metal-gate-transistoren vaak een zeer dunne laag zoals SiO2 tussen het silicium en de high-k-film (zoals een oxidefilm op hafniumbasis) geplaatst?
  3. Wat is de belangrijkste reden waarom III-V-samengestelde halfgeleiders zoals InGaAs zijn onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige nMOS?
  4. Welke uitspraak over de transistorprestatie-indicator 'Ion/Ioff-verhouding' is juist?
  5. Hoe is de subthreshold-coëfficiënt (SS) in het algemeen veranderd door de overgang van planaire transistoren naar FinFET's?

Vergelijkingen bij dit onderwerp