Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke combinatie van bedrijf en generatie die de FinFET (door Intel Tri-Gate genoemd) als eerste in een logisch product voor massaproductie toepaste, is juist?

  1. ADe 22 nm-generatie van Intel (circa 2011 tot 2012)
  2. BDe 90 nm-generatie van TSMC (circa 2004)
  3. CDe 2 nm-generatie van Samsung (circa 2025)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De 22 nm-generatie van Intel (circa 2011 tot 2012)

Intel paste de FinFET (bij dat bedrijf Tri-Gate genoemd) bij de 22 nm-generatie toe voor massaproductie en bouwde hem vanaf Ivy Bridge in 2012 in producten in. Er werd aangekondigd dat bij gelijke prestaties het vermogen kon worden gehalveerd. Daarna namen ook TSMC en Samsung bij de 16/14 nm-generatie de FinFET over en vorderde de overgang van het planaire type. Het concept van de FinFET werd in 1999 gepubliceerd door onder meer Chenming Hu van de University of California, Berkeley.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke combinatie van bedrijf en generatie die als eerste aankondigde GAA-transistoren (nanosheet) in massaproductie te nemen, is juist?
  2. Welke uitspraak over het belangrijkste doel van het verkleinen van transistoren is juist?
  3. Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-GAA-transistor wordt bedoeld, is juist?
  4. Waar staat de k in 'high-k-gate-isolator' voor?
  5. Welke waarde komt het dichtst bij de effectieve kanaalbreedte (de lengte van de door de gate omsloten omtrek) per vin van een FinFET met een vinhoogte van 50 nm en een breedte van 6 nm?

Vergelijkingen bij dit onderwerp