Wat is het doel van een laag met hoge onzuiverheidsconcentratie aan de voet van de vin (het deel dat de gate moeilijk bestuurt) bij een FinFET op een bulksubstraat?

Antwoord: A. Om de punch-through-lekstroom door het onderste deel van de vin te onderdrukken

Bij een bulk-FinFET is het onderste deel van de vin niet door de gate omsloten, zodat tussen source en drain gemakkelijk stroom weglekt. Nabij de voet van de vin wordt een laag met hoge concentratie van het tegengestelde geleidingstype van het kanaal aangebracht (punch-through stopper) om de lekstroom langs dit pad te onderdrukken. Omdat het kanaalgedeelte zelf geen onzuiverheden moet bevatten, is het lastig dit scherp te beperken tot een ondiepe positie. Met een SOI-substraat kan met een isolatiefilm worden gescheiden, maar de wafer is duur.