Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Wat is het belangrijkste doel van het epitaxiaal opbouwen van kristal op de vinnen in source en drain van een FinFET?

  1. AOm de transistor licht te laten uitstralen
  2. BOm de gatelengte te vergroten
  3. COm de parasitaire weerstand te verlagen en spanning op het kanaal aan te brengen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om de parasitaire weerstand te verlagen en spanning op het kanaal aan te brengen

Vinnen zijn slechts enkele nm breed, dus source- en drainweerstand zijn zo groot en het contactoppervlak klein. Als het kristal door epitaxiale groei ruitvormig wordt opgebouwd, neemt de doorsnede toe, daalt de weerstand en wordt contact maken gemakkelijker. Bij pMOS wordt SiGe met veel Ge gebruikt en bij nMOS SiP met een hoge fosforconcentratie, en door het verschil in roosterconstante wordt ook spanning op het kanaal aangebracht, waardoor de mobiliteit toeneemt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over de basismethode om de contactweerstand tussen metaal en halfgeleider te verlagen is juist?
  2. Welke maatstaf voor de mate van verkleining van logica geeft de werkelijke stand van zaken beter weer dan de generatienaam (nodenaam) van het proces?
  3. Welk element wordt onderzocht met het oog op het doorbreken van de grens van 60 mV/dec van de subthreshold-coëfficiënt?
  4. Wat is de belangrijkste rol van de isolator (inner spacer) tussen gate en source/drain bij de ruimte tussen de sheets van nanosheet-GAA?
  5. Wat is, wanneer de hoogte van een standaardcel wordt uitgedrukt in het aantal bedradingstracks, het juiste effect van het verminderen van het aantal tracks?

Vergelijkingen bij dit onderwerp