Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke techniek, die zijwandspacers gebruikt om patronen te maken die fijner zijn dan de limiet van lithografie, wordt gebruikt om de smalle vinnen van FinFET's te maken?

  1. ASADP/SAQP (zelfuitgelijnde dubbele/viervoudige patronering)
  2. BOPC
  3. CCMP
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. SADP/SAQP (zelfuitgelijnde dubbele/viervoudige patronering)

Bij SADP wordt op de zijwanden van een kernpatroon met bijvoorbeeld ALD een uniforme film aangebracht om spacers te vormen en wordt de kern verwijderd, zodat lijnen met tweemaal de oorspronkelijke dichtheid ontstaan. SAQP herhaalt dit twee keer voor vier keer de dichtheid. Omdat de lijnbreedte niet door de belichting maar door de laagdikte wordt bepaald, is de spreiding klein en kunnen vinnen en bedrading worden gevormd die fijner zijn dan de limiet van ArF-immersiebelichting (pitch circa 80 nm). Ook bij EUV-belichting wordt het gecombineerd gebruikt voor de fijnste pitches.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Waarom wordt bij de productie van nanosheet-GAA-transistoren uit de laag van afwisselend gestapeld Si en SiGe alleen de SiGe-laag selectief verwijderd?
  2. Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?
  3. Welke factor die de prestaties beperkt, wordt belangrijker bij transistoren die steeds verder zijn verkleind?
  4. Welke uitspraak over de kenmerken van materialen zoals molybdeendisulfide (MoS2), dat wordt onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige extreem kleine transistoren, is juist?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het epitaxiaal opbouwen van kristal op de vinnen in source en drain van een FinFET?

Vergelijkingen bij dit onderwerp