Contact métal-semi-conducteur de faible résistance, quel que soit le sens du courant, où courant et tension sont proportionnels. On l'obtient en dopant fortement la surface du semi-conducteur pour faciliter le passage par effet tunnel à travers la barrière.
Nom japonais: オーミック接触
« Contact ohmique » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Jonction PN et diodes.
Domaine: Jonction PN et diodes
Réponse : A. Doper fortement la surface du semi-conducteur au contact, afin que les porteurs traversent facilement la barrière par effet tunnel
Une barrière Schottky se forme entre métal et semi-conducteur, mais un dopage élevé du côté semi-conducteur (environ 10¹⁹ cm⁻³ ou plus dans le silicium) amincit la barrière à quelques nm, que les porteurs traversent par effet tunnel. On obtient ainsi un contact ohmique de faible résistance quel que soit le sens du courant. Dans les transistors avancés, la résistance de contact représente une part importante de la résistance totale ; on la réduit par formation de siliciures et par des dopages extrêmement élevés.
On obtient ainsi un contact ohmique de faible résistance quel que soit le sens du courant.
Quelle méthode utilise-t-on couramment pour rendre ohmique …Contact Capacité de diffusion Capacité de jonction (capacité de déplétion) Claquage par avalanche Diode Schottky Diode tunnel (diode Esaki) Diode Zener Facteur d'idéalité Modulation de conductivité Polarisation directe