Quel métal a été largement utilisé pour remplir les trous de contact reliant les transistors à la couche d'interconnexion la plus basse ?

Réponse : A. Tungstène (W)

Pour les trous de contact, on a largement utilisé le tungstène, capable par CVD de remplir jusqu'au fond des trous fins de quelques dizaines de nm de diamètre (plots de tungstène). Son point de fusion élevé le rend résistant à l'électromigration et stable même près des transistors, où la température est élevée. On l'associe à une couche barrière en Ti et TiN pour empêcher la diffusion dans le silicium et l'attaque par le fluor du WF6. Dans les générations avancées, il est progressivement remplacé par le cobalt ou le ruthénium, de résistance plus faible.