Qu'est-ce que Méthode des quatre pointes ?

Méthode qui détermine la résistance carrée d'une plaquette ou d'un film mince en injectant un courant par les deux pointes extérieures de quatre pointes alignées et en mesurant la tension entre les deux pointes intérieures.

Nom japonais: 四探針法

« Méthode des quatre pointes » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Métrologie et analyse, Plaquettes de silicium.

Domaine: Métrologie et analyse

S'entraîner : questions sur Méthode des quatre pointes

Que mesure principalement la méthode des quatre pointes ?

  1. ALa résistance carrée
  2. BLa contrainte d’un film
  3. CLa rugosité de surface
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Réponse : A. La résistance carrée

La méthode des quatre pointes pose sur l’échantillon quatre pointes alignées, injecte un courant par les deux pointes extérieures et mesure la tension entre les deux pointes intérieures. Les pointes de mesure de tension n’étant quasiment parcourues par aucun courant, la résistance carrée est mesurée sans l’influence de la résistance de contact. Pour un film mince suffisamment étendu, Rs=(π/ln2)×V/I≒4.53×V/I. Elle sert à évaluer les couches diffusées et les films métalliques. La contrainte se mesure par la courbure de la plaquette, la rugosité par AFM, etc.

« Méthode des quatre pointes » dans les explications

Questions mentionnant « Méthode des quatre pointes » (7)

  1. Que mesure principalement la méthode des quatre pointes ?
  2. Quelle méthode est utilisée pour mesurer sans contact la résistivité d'un wafer ?
  3. Quelle méthode est couramment utilisée pour analyser les contaminations métalliques à l’état de traces à la surface des plaquettes ?
  4. Quelle méthode d’analyse étudie les éléments et l’état de liaison chimique en surface à partir de l’énergie des photoélectrons émis sous irradiation X ?
  5. Quelle technique envoie des rayons X sous un angle très rasant et déduit l’épaisseur et la densité de films minces des oscillations de la réflectivité ?
  6. Quelle méthode est utilisée pour mesurer la concentration d’oxygène interstitiel dans le silicium ?
  7. Quelle méthode évalue les propriétés électriques des oxydes et interfaces sans former d’électrode, en déposant des charges par décharge corona sur la surface de la plaquette et en mesurant la variation du potentiel de surface ?

Termes associés

Contact AFM (microscope à force atomique) TXRF (fluorescence X en réflexion totale) Ellipsométrie XPS (spectroscopie de photoélectrons X) SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires) Absorption (perte de chiffres) Getter (gettering) EDX (spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie) CD-SEM

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