Français
Menu

Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle technique recouvre la grille d'un isolant afin qu'un léger désalignement du contact ne provoque pas de court-circuit avec la grille ?

  1. ALDD
  2. BTSV
  3. CContact auto-aligné (SAC)
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Contact auto-aligné (SAC)

Lorsque les faces supérieure et latérales de la grille sont recouvertes d'un nitrure ou analogue, une gravure de contact décalée vers la grille s'arrête sur cet isolant, le nitrure étant moins gravé que l'oxyde, et n'atteint pas la grille. Ce contact auto-aligné supprime la marge prévue pour l'erreur d'alignement et permet de rapprocher grille et contact. Il a ouvert la voie à des techniques de réduction de surface de cellule comme le COAG, qui place le contact directement au-dessus de la grille.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Transistors avancés (FinFET et GAA)

  1. Pourquoi le SiGe ou le germanium est-il étudié ou adopté à la place du silicium comme matériau de canal des pMOS ?
  2. Quelle méthode d'intégration 3D, sans collage de puces, fabrique les couches de transistors en les empilant successivement sur la plaquette ?
  3. Quelle combinaison d'entreprise et de nœud correspond à la première adoption du FinFET (appelé Tri-Gate par Intel) dans des produits logiques en production de masse ?
  4. Quelle combinaison d'entreprise et de nœud correspond à la première annonce mondiale de production de masse de transistors GAA (nanofeuillets) ?
  5. Quel est l'objectif principal de la miniaturisation des transistors ?

Comparatifs sur ce thème