Jonction PN et diodes
Quelle méthode utilise-t-on couramment pour rendre ohmique (résistif) un contact métal-semi-conducteur ?
- ADoper fortement la surface du semi-conducteur au contact, afin que les porteurs traversent facilement la barrière par effet tunnel
- BFaiblement doper la surface du semi-conducteur au contact
- CIntercaler un oxyde épais entre le métal et le semi-conducteur
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Réponse : A. Doper fortement la surface du semi-conducteur au contact, afin que les porteurs traversent facilement la barrière par effet tunnel
Une barrière Schottky se forme entre métal et semi-conducteur, mais un dopage élevé du côté semi-conducteur (environ 10¹⁹ cm⁻³ ou plus dans le silicium) amincit la barrière à quelques nm, que les porteurs traversent par effet tunnel. On obtient ainsi un contact ohmique de faible résistance quel que soit le sens du courant. Dans les transistors avancés, la résistance de contact représente une part importante de la résistance totale ; on la réduit par formation de siliciures et par des dopages extrêmement élevés.