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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la méthode de base pour réduire la résistance de contact métal-semi-conducteur ?

  1. AAugmenter le dopage du semi-conducteur en contact pour amincir la barrière et faciliter le courant tunnel
  2. BRendre le dopage du semi-conducteur en contact extrêmement faible
  3. CInsérer un oxyde épais entre le métal et le semi-conducteur
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Réponse : A. Augmenter le dopage du semi-conducteur en contact pour amincir la barrière et faciliter le courant tunnel

Une barrière Schottky se forme à l'interface métal-semi-conducteur. Un dopage du semi-conducteur supérieur à 10²⁰ cm⁻³ amincit la barrière à quelques nm ou moins, et les porteurs la traversent plus facilement par effet tunnel, ce qui réduit la résistance de contact. On recourt aussi à des interfaces en siliciure de titane ou autre, au choix de matériaux à faible barrière et à l'élargissement de la surface de contact ; les nœuds avancés exigent des résistivités de contact de l'ordre de 10⁻⁹ Ω·cm².

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