Technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques de la plaquette loin de la surface où sont formés les composants. Exploite notamment les précipités d'oxygène.
Nom japonais: ゲッタリング
« Getter (gettering) » apparaît dans 9 questions d'entraînement réparties sur 4 thèmes, dont Plaquettes de silicium, Croissance épitaxiale, Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : B. Une technique qui piège les impuretés métalliques nocives dans des zones éloignées de la région où sont fabriqués les composants
Le gettering est une technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques dégradant les caractéristiques des composants, comme le fer, le cuivre ou le nickel, dans des défauts situés à l'intérieur du wafer ou sur sa face arrière, loin de la région active en surface. Les métaux augmentent les courants de fuite et dégradent les oxydes, et même une contamination infime de l'ordre de 10¹⁰ atoms/cm² pose problème. On distingue le gettering intrinsèque, qui utilise les précipités d'oxygène internes, et le gettering extrinsèque, qui crée en face arrière des contraintes d'usinage ou une couche polycristalline.
Le gettering est une technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques dégradant les caractéristiques des composants, comme le fer, le cuivre ou le nickel, dans des défauts situés à l'intérieur du wafer ou sur sa face arrière, loin de la région active en surface.
Quelle description du gettering est correcte ?L'oxygène ancre les dislocations et améliore la résistance mécanique du cristal, et les précipités formés par traitement thermique servent de sites de gettering ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques.
Quelle impureté provenant du creuset est incorporée en quan…Les précipités et les contraintes et dislocations qui les entourent piègent les impuretés métalliques ; ils sont donc utilisés pour le gettering intrinsèque, qui éloigne la contamination métallique de la région active en surface.
Quel est l'objectif de l'exploitation des microdéfauts (BMD…Des traitements thermiques ultérieurs à basse et moyenne température forment des précipités en volume, qui constituent la couche de gettering.
Un traitement thermique du wafer fait exodiffuser l'oxygène…Cet oxygène précipite lors des traitements thermiques et contribue au gettering, et ancre les dislocations en renforçant le wafer ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques.
Quelle valeur est la plus proche de l'ordre de grandeur de …Précipités d'oxygène (BMD) Région active Méthode CZ (Czochralski) Donneurs thermiques Absorption (perte de chiffres) Méthode MCZ (Czochralski sous champ magnétique) DZ (zone dénudée) Recuit Donneur Latch-up