Amas d'atomes d'oxygène agissant comme donneurs, formés lorsqu'on recuit du silicium CZ vers 450 °C. Comme ils modifient la résistivité, on les élimine par un traitement à haute température.
Nom japonais: サーマルドナー
« Donneurs thermiques » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Plaquettes de silicium.
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : B. L'oxygène
Dans la méthode CZ, le silicium est fondu dans un creuset en quartz (SiO2), et l'oxygène dissous depuis le creuset est incorporé dans le cristal à environ 10¹⁸ cm⁻³. L'oxygène ancre les dislocations et améliore la résistance mécanique du cristal, et les précipités formés par traitement thermique servent de sites de gettering ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques. Sa concentration est donc contrôlée, par exemple par la méthode MCZ qui applique un champ magnétique pour freiner la convection, et spécifiée selon l'application.
Réponse : A. Environ 10¹⁸ cm⁻³
Les cristaux CZ contiennent environ 10¹⁷ à 10¹⁸ cm⁻³ (quelques ppma à une quinzaine de ppma) d'oxygène dissous depuis le creuset en quartz, situé majoritairement en position interstitielle. Cet oxygène précipite lors des traitements thermiques et contribue au gettering, et ancre les dislocations en renforçant le wafer ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques. Sa concentration est mesurée par absorption infrarouge (absorption vers une longueur d'onde d'environ 9 µm) et maîtrisée dans une plage étroite selon l'application.
L'oxygène ancre les dislocations et améliore la résistance mécanique du cristal, et les précipités formés par traitement thermique servent de sites de gettering ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques.
Quelle impureté provenant du creuset est incorporée en quan…Cet oxygène précipite lors des traitements thermiques et contribue au gettering, et ancre les dislocations en renforçant le wafer ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques.
Quelle valeur est la plus proche de l'ordre de grandeur de …Un traitement thermique entre 350 et 500 ℃ du silicium CZ contenant de l'oxygène interstitiel forme des agrégats de quelques atomes d'oxygène, qui libèrent des électrons et agissent comme donneurs (donneurs thermiques).
Un traitement thermique du silicium CZ vers 450 ℃ peut rass…Méthode CZ (Czochralski) Getter (gettering) Méthode MCZ (Czochralski sous champ magnétique) Absorption (perte de chiffres) Coefficient de ségrégation DZ (zone dénudée) Encoche de plaquette (notch) Glissement (slip) Lingot Méthode FZ (zone flottante)