Français
Menu

Plaquettes de silicium

Quelle valeur est la plus proche de l'ordre de grandeur de la concentration d'oxygène interstitiel dans le silicium tiré par la méthode CZ ?

  1. AEnviron 10¹⁸ cm⁻³
  2. BEnviron 10²³ cm⁻³
  3. CEnviron 10¹⁰ cm⁻³
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Environ 10¹⁸ cm⁻³

Les cristaux CZ contiennent environ 10¹⁷ à 10¹⁸ cm⁻³ (quelques ppma à une quinzaine de ppma) d'oxygène dissous depuis le creuset en quartz, situé majoritairement en position interstitielle. Cet oxygène précipite lors des traitements thermiques et contribue au gettering, et ancre les dislocations en renforçant le wafer ; en excès, il provoque cependant des défauts et des donneurs thermiques. Sa concentration est mesurée par absorption infrarouge (absorption vers une longueur d'onde d'environ 9 µm) et maîtrisée dans une plage étroite selon l'application.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Plaquettes de silicium

  1. Quel abrasif est généralement utilisé dans la suspension de polissage pour le polissage miroir des wafers de silicium (polissage de finition par CMP) ?
  2. Quelle est l'utilisation principale des wafers de silicium n⁺ de faible résistivité fortement dopés à l'arsenic ou à l'antimoine ?
  3. Un traitement thermique du silicium CZ vers 450 ℃ peut rassembler des atomes d'oxygène qui agissent comme donneurs et modifient la résistivité du wafer. Comment appelle-t-on ce phénomène ?
  4. Quelle méthode de préparation, destinée à analyser avec une grande sensibilité la contamination métallique de surface des wafers, dissout l'oxyde de surface par des vapeurs d'acide fluorhydrique et le récupère dans une gouttelette avant analyse ?
  5. Comment appelle-t-on les ondulations très douces de la surface du wafer, de longueur d'onde de l'ordre de quelques mm et de hauteur de quelques dizaines de nm ?

Comparatifs sur ce thème