État où la jonction base-émetteur est polarisée en direct et la jonction base-collecteur en inverse. Un courant de collecteur proportionnel au courant de base circule ; utilisé pour l'amplification.
Nom japonais: 能動領域
« Région active » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Plaquettes de silicium.
Domaine: Transistors bipolaires
Réponse : B. Une technique qui piège les impuretés métalliques nocives dans des zones éloignées de la région où sont fabriqués les composants
Le gettering est une technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques dégradant les caractéristiques des composants, comme le fer, le cuivre ou le nickel, dans des défauts situés à l'intérieur du wafer ou sur sa face arrière, loin de la région active en surface. Les métaux augmentent les courants de fuite et dégradent les oxydes, et même une contamination infime de l'ordre de 10¹⁰ atoms/cm² pose problème. On distingue le gettering intrinsèque, qui utilise les précipités d'oxygène internes, et le gettering extrinsèque, qui crée en face arrière des contraintes d'usinage ou une couche polycristalline.
Réponse : A. Les utiliser comme sites de gettering piégeant les impuretés métalliques
L'oxygène contenu dans les wafers CZ forme, sous l'effet des traitements thermiques, des précipités à l'intérieur du wafer (BMD : Bulk Micro Defect). Les précipités et les contraintes et dislocations qui les entourent piègent les impuretés métalliques ; ils sont donc utilisés pour le gettering intrinsèque, qui éloigne la contamination métallique de la région active en surface. La densité de BMD est contrôlée entre environ 10⁸ et 10¹⁰ cm⁻³. Toutefois, près de la surface, ils provoquent des fuites ; une couche sans défauts est donc conservée en surface.
Le gettering est une technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques dégradant les caractéristiques des composants, comme le fer, le cuivre ou le nickel, dans des défauts situés à l'intérieur du wafer ou sur sa face arrière, loin de la région active en surface.
Quelle description du gettering est correcte ?Les précipités et les contraintes et dislocations qui les entourent piègent les impuretés métalliques ; ils sont donc utilisés pour le gettering intrinsèque, qui éloigne la contamination métallique de la région active en surface.
Quel est l'objectif de l'exploitation des microdéfauts (BMD…Getter (gettering) Précipités d'oxygène (BMD) Distorsion de croisement Effet Early Effet Miller Émetteur suiveur Fréquence de transition Gain en courant (hFE) HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) Miroir de courant