Quel est l'avantage d'une plaquette dans laquelle une couche épitaxiale de type p faiblement dopée est déposée sur un substrat p+ (plaquette épitaxiée p/p+) ?

Réponse : B. La qualité cristalline de surface est bonne et le latch-up du CMOS est plus facile à éviter

La couche épitaxiale contient moins de défauts, comme les précipités d'oxygène ou les COP, que la surface d'une plaquette CZ, ce qui améliore la qualité de la surface où sont fabriqués les dispositifs. De plus, la présence en dessous d'un substrat p+ de faible résistivité permet au courant du thyristor parasite de s'écouler facilement dans le substrat et limite les différences de potentiel entre caissons, ce qui aide à éviter le latch-up du CMOS. Le substrat fortement dopé contribue aussi au getter des impuretés métalliques ; ces plaquettes sont largement utilisées pour les microcontrôleurs et capteurs d'image.