Qu'est-ce que Précipités d'oxygène (BMD) ?

Défauts microscopiques formés à l'intérieur de la plaquette par précipitation, lors de traitements thermiques, de l'oxygène contenu dans le silicium CZ. Appelés aussi BMD, ils servent de sites de getter piégeant les impuretés métalliques.

Nom japonais: 酸素析出物(BMD)

« Précipités d'oxygène (BMD) » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Plaquettes de silicium, Croissance épitaxiale.

Domaine: Plaquettes de silicium

S'entraîner : questions sur Précipités d'oxygène (BMD)

Quel est l'objectif de l'exploitation des microdéfauts (BMD) formés par précipitation de l'oxygène à l'intérieur d'un wafer CZ ?

  1. ALes utiliser comme sites de gettering piégeant les impuretés métalliques
  2. BFaire émettre de la lumière au wafer
  3. CRéduire la résistance du wafer
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Réponse : A. Les utiliser comme sites de gettering piégeant les impuretés métalliques

L'oxygène contenu dans les wafers CZ forme, sous l'effet des traitements thermiques, des précipités à l'intérieur du wafer (BMD : Bulk Micro Defect). Les précipités et les contraintes et dislocations qui les entourent piègent les impuretés métalliques ; ils sont donc utilisés pour le gettering intrinsèque, qui éloigne la contamination métallique de la région active en surface. La densité de BMD est contrôlée entre environ 10⁸ et 10¹⁰ cm⁻³. Toutefois, près de la surface, ils provoquent des fuites ; une couche sans défauts est donc conservée en surface.

« Précipités d'oxygène (BMD) » dans les explications

Questions mentionnant « Précipités d'oxygène (BMD) » (5)

  1. Quel est l'objectif de l'exploitation des microdéfauts (BMD) formés par précipitation de l'oxygène à l'intérieur d'un wafer CZ ?
  2. Quelle description du gettering est correcte ?
  3. Un traitement thermique du wafer fait exodiffuser l'oxygène proche de la surface et crée, à la surface où sont fabriqués les composants, une couche pauvre en défauts. Comment appelle-t-on cette couche ?
  4. Quel effet connu a l'ajout d'une faible quantité d'azote (dopage à l'azote) pendant la croissance d'un cristal CZ ?
  5. Quel est l'avantage d'une plaquette dans laquelle une couche épitaxiale de type p faiblement dopée est déposée sur un substrat p+ (plaquette épitaxiée p/p+) ?

Termes associés

Getter (gettering) Région active DZ (zone dénudée) Recuit Donneur Latch-up CMOS Coefficient de ségrégation Donneurs thermiques Encoche de plaquette (notch)

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