Plaquettes de silicium
Quelle description du gettering est correcte ?
- AUn usinage qui amincit le wafer
- BUne technique qui piège les impuretés métalliques nocives dans des zones éloignées de la région où sont fabriqués les composants
- CUne technique de collage de plusieurs wafers
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Réponse : B. Une technique qui piège les impuretés métalliques nocives dans des zones éloignées de la région où sont fabriqués les composants
Le gettering est une technique qui rassemble et piège les impuretés métalliques dégradant les caractéristiques des composants, comme le fer, le cuivre ou le nickel, dans des défauts situés à l'intérieur du wafer ou sur sa face arrière, loin de la région active en surface. Les métaux augmentent les courants de fuite et dégradent les oxydes, et même une contamination infime de l'ordre de 10¹⁰ atoms/cm² pose problème. On distingue le gettering intrinsèque, qui utilise les précipités d'oxygène internes, et le gettering extrinsèque, qui crée en face arrière des contraintes d'usinage ou une couche polycristalline.