Qu'est-ce que Redistribution (drive-in) ?

En diffusion thermique, étape qui, après l'introduction en surface d'une quantité donnée d'impuretés (prédépôt), les fait pénétrer plus profondément par recuit à haute température.

Nom japonais: ドライブイン

« Redistribution (drive-in) » apparaît dans 8 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont Packaging avancé (3D et chiplets), Oxydation et diffusion, Lithographie.

Domaine: Oxydation et diffusion

S'entraîner : questions sur Redistribution (drive-in)

Quel nom donne-t-on aux étapes de mise en boîtier avancée qui utilisent, à l'état de plaquette, des techniques de microfabrication proches du front-end (formation de TSV, couches de redistribution fines, etc.), parce qu'elles se situent entre le front-end et le back-end ?

  1. AMiddle-end
  2. BÉtapes amont
  3. CÉtape finale
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Middle-end

En mise en boîtier avancée, le perçage et le remplissage des TSV, la redistribution fine, la formation des bossages, l'amincissement, etc. sont réalisés à l'état de plaquette avec des équipements et des techniques proches du front-end. Ne relevant ni du front-end classique (formation des circuits) ni du back-end (assemblage et test), ces étapes sont parfois appelées middle-end. Les fondeurs comme les OSAT investissent dans ce domaine, et la répartition des rôles entre eux évolue.

En intégration 2.5D, quel est le principal avantage d'un interposeur à couches de redistribution (RDL) superposant films isolants organiques et pistes en cuivre, à la place d'un interposeur silicium ?

  1. AIl permet toujours des pistes plus fines que le silicium
  2. BLes TSV deviennent inutiles et toute dissipation thermique aussi
  3. CIl est plus facile d'en contenir le coût et de réaliser des interposeurs de grande surface
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Il est plus facile d'en contenir le coût et de réaliser des interposeurs de grande surface

L'interposeur RDL organique, qui n'utilise pas les étapes de fabrication des plaquettes de silicium, permet de contenir le coût ; il est souple et se prête bien à l'agrandissement. Son coefficient de dilatation thermique, proche de celui du substrat de boîtier, réduit aussi les contraintes sur les connexions. En revanche, la finesse et la densité des pistes restent souvent inférieures à celles d'un interposeur silicium ; on choisit donc selon l'usage, ou on l'associe à des ponts en silicium pour les seules zones à haute densité.

« Redistribution (drive-in) » dans les explications

Questions mentionnant « Redistribution (drive-in) » (8)

  1. Quel nom donne-t-on aux étapes de mise en boîtier avancée qui utilisent, à l'état de plaquette, des techniques de microfabrication proches du front-end (formation de TSV, couches de redistribution fines, etc.), parce qu'elles se situent entre le front-end et le back-end ?
  2. En intégration 2.5D, quel est le principal avantage d'un interposeur à couches de redistribution (RDL) superposant films isolants organiques et pistes en cuivre, à la place d'un interposeur silicium ?
  3. En diffusion thermique, comment s’appelle l’étape qui, après l’introduction d’une quantité définie de dopants en surface, les fait pénétrer plus profondément ?
  4. En diffusion thermique, quelle combinaison de formes de profil est correcte pour la diffusion à concentration de surface constante et pour la diffusion d’une quantité fixe de dopants (source finie) ?
  5. Quelle est la longueur d'onde de la raie i de la lampe à mercure ?
  6. Quelle est la caractéristique du boîtier au niveau plaquette (WLP) ?
  7. Quelle est la distinction correcte entre le « front-end » et le « back-end » de la fabrication des semi-conducteurs ?
  8. Comment appelle-t-on la couche d'interconnexion formée à la surface d'une puce ou d'une plaquette pour acheminer les électrodes jusqu'à l'emplacement des bornes externes ?

Termes associés

Couche de redistribution (RDL) Diffusion thermique Implantation ionique TSV (via traversant le silicium) Perçage (punch-through) OSAT Intégration 2.5D Interposeur silicium Dose MEMS

Retour au glossaire