Phénomène où les zones de déplétion de source et de drain se rejoignent, laissant circuler un courant non contrôlé par la grille. Il survient si le canal est trop court ou le dopage du substrat trop faible.
Nom japonais: パンチスルー
« Perçage (punch-through) » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 6 thèmes, dont Implantation ionique, MOSFET, Transistors bipolaires.
Domaine: MOSFET
Réponse : B. La jonction des zones de déplétion de source et de drain, qui laisse passer un courant non commandé par la grille
Avec un canal court et un substrat faiblement dopé, la tension de drain étend la zone de déplétion côté drain jusqu’à celle de la source ; un courant circule alors en profondeur dans le substrat, indépendamment de la grille, et le transistor ne peut plus être bloqué. C’est le perçage. Les remèdes consistent à placer une couche fortement dopée sous la source et le drain (implantation halo/pocket), à rendre les jonctions moins profondes et, comme dans les FinFET et GAA, à entourer le canal par la grille pour supprimer les chemins de courant non commandés.
C’est le perçage.
Quelle description du perçage (punch-through) d’un MOSFET e…En contrepartie, la résistance de base augmente et le perçage (punch-through), où la zone de déplétion du collecteur atteint l'émetteur, devient plus probable, ce qui est défavorable pour la tenue en tension.
Quelle est la raison la plus appropriée d'amincir la base d…Une couche fortement dopée de type opposé au canal (stoppeur de perçage) placée près du pied de l'ailette limite la fuite par ce chemin.
Dans un FinFET sur substrat massif, quel est l'objectif de …La concentration de surface reste modérée pour s'adapter aux caractéristiques des transistors, tandis que la forte concentration en profondeur limite le perçage (punch-through) et le latch-up (déclenchement du thyristor parasite).
Dans la formation des caissons CMOS, comment appelle-t-on u…L'extension de la zone de déplétion issue du drain étant limitée, la baisse de la tension de seuil et le perçage sont contenus même lorsque la longueur de grille diminue.
Quel est le principal objectif de l'implantation halo (poch…Zone de déplétion (zone de charge d'espace) Implantation halo (implantation poche) FinFET GAA (grille enrobante, gate-all-around) Longueur de diffusion Gain en courant (hFE) Rugosité de bord de ligne (LER) CMOS Implantation ionique Caisson rétrograde (retrograde well)