Solution de nettoyage d'acide fluorhydrique dilué dans l'eau. Elle élimine l'oxyde natif de la surface du silicium et la rend hydrophobe, terminée par de l'hydrogène.
Nom japonais: 希フッ酸(DHF)
« Acide fluorhydrique dilué (DHF) » apparaît dans 8 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont CMP et nettoyage, Oxydation et diffusion.
Domaine: CMP et nettoyage
Réponse : A. L’oxyde thermique est gravé plus lentement (il est plus dense)
L’oxyde thermique, dense et peu défectueux, se grave lentement dans l’acide fluorhydrique dilué (par exemple 1%), à quelques nm par minute. L’oxyde CVD, selon ses conditions de dépôt, peut être moins dense ou contenir de l’hydrogène et de l’humidité, et se grave généralement plus vite. Le rapport de vitesse de gravure par rapport à l’oxyde thermique (WERR) sert d’indicateur de qualité du film ; une densification par recuit le rapproche de l’oxyde thermique.
Réponse : C. Éliminer l'oxyde natif
L'acide fluorhydrique dissolvant le SiO2, un traitement de quelques dizaines de secondes à l'acide fluorhydrique dilué à environ 0,5 à 1 % élimine l'oxyde natif d'environ 1 nm à la surface du silicium. Après traitement, la surface de silicium est terminée par de l'hydrogène et devient hydrophobe ; le fait que l'eau perle permet de vérifier l'élimination. Ce traitement est souvent effectué juste avant l'oxydation de grille, la croissance épitaxiale ou la formation de siliciure. Les composés organiques et les particules s'éliminent par le SC-1, la contamination métallique par le SC-2.
L’oxyde thermique, dense et peu défectueux, se grave lentement dans l’acide fluorhydrique dilué (par exemple 1%), à quelques nm par minute.
Pour une même gravure à l’acide fluorhydrique dilué, quelle…L'acide fluorhydrique dissolvant le SiO2, un traitement de quelques dizaines de secondes à l'acide fluorhydrique dilué à environ 0,5 à 1 % élimine l'oxyde natif d'environ 1 nm à la surface du silicium.
Quel est le principal objectif du nettoyage à l'acide fluor…Après retrait de l'oxyde à l'acide fluorhydrique dilué, la surface de silicium est terminée par de l'hydrogène (liaisons Si-H) et devient hydrophobe, l'eau y perlant.
Quel est l'état d'une surface de silicium dont le dernier n…La contamination métallique s'élimine par le SC-2, l'oxyde natif par l'acide fluorhydrique dilué.
Quel est le principal objectif du SC-1 (mélange ammoniaque-…Sources de courts-circuits, de corrosion et de défauts, ils sont éliminés par brossage avec des brosses en PVA (alcool polyvinylique) et par des nettoyages chimiques à l'acide fluorhydrique dilué, aux acides organiques, etc., suivis d'un séchage par centrifugation.
Que faut-il particulièrement éliminer lors du nettoyage apr…SC-1 (APM) SC-2 (HPM) Oxyde natif Croissance épitaxiale Nettoyage RCA Eau ultrapure SPM (mélange acide sulfurique-eau oxygénée) CVD Recuit Siliciure