Fine couche d'oxyde d'environ 1 nm qui se forme naturellement lorsque le silicium est exposé à l'air ou à l'eau. Elle augmente la résistance de contact et gêne l'épitaxie ; on la retire juste avant les étapes concernées.
Nom japonais: 自然酸化膜
« Oxyde natif » apparaît dans 10 questions d'entraînement réparties sur 6 thèmes, dont CMP et nettoyage, Oxydation et diffusion, Plaquettes de silicium.
Domaine: CMP et nettoyage
Réponse : B. Nettoyage à sec par gaz ou radicaux en phase vapeur
Dans les motifs hauts et étroits, la tension superficielle du liquide lors du séchage peut attirer les motifs les uns vers les autres et les faire s'effondrer. Le nettoyage en phase vapeur (à sec), utilisant par exemple de la vapeur de fluorure d'hydrogène ou des radicaux produits par un plasma NF3/NH3 (traitement SiCoNi), n'emploie aucun liquide ; il n'y a pas de risque d'effondrement, et l'équipement peut être relié sous vide à l'équipement de dépôt pour passer à l'étape suivante sans réoxydation. Il sert notamment à retirer l'oxyde au fond des contacts.
La méthode VPD décompose l'oxyde natif de surface du wafer par des vapeurs d'acide fluorhydrique, puis balaie la surface avec une petite gouttelette qui collecte les impuretés métalliques de surface.
Quelle méthode de préparation, destinée à analyser avec une…Si un oxyde natif (environ 1 nm) ou une contamination au carbone subsiste en surface, le monocristal croît mal par-dessus, ce qui provoque notamment des fautes d'empilement.
Quel est l'objectif principal du chauffage de la plaquette …Comparée à GeO2, soluble dans l’eau, et aux semi-conducteurs composés, qui ne forment pas de bon oxyde natif, cette excellente interface MOS est un atout majeur du silicium et l’une des raisons pour lesquelles il est resté le matériau des LSI depuis la mise au point du MOSFET vers 1960.
Quelle est l’une des grandes raisons pour lesquelles le sil…Même à température ambiante, un oxyde natif d’environ 1 nm se forme rapidement à la surface du silicium, mais il ne croît pratiquement pas au-delà.
Quelle plage de température est la plus proche de celle gén…Elle sert au tracé de motifs dans l'oxyde, au retrait de l'oxyde natif et à l'évaluation de la qualité des films.
Quelle solution utilisée pour la gravure humide du SiO2 est…Croissance épitaxiale SC-1 (APM) SC-2 (HPM) Acide fluorhydrique dilué (DHF) Plasma Recuit Oxydation thermique NF3 (trifluorure d'azote) TXRF (fluorescence X en réflexion totale) Gravure humide