什麼是MBE(分子束磊晶)
在超高真空中，將原料以分子束的形式供應到基板上進行磊晶成長的方法。可在原子層等級精確控制膜厚與組成，用於化合物半導體的研究與量子結構的製作。
日文名稱: MBE(分子線エピタキシー)
「MBE(分子束磊晶)」出現在1領域的3道練習題中（磊晶成長等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習MBE(分子束磊晶)的題目
下列關於MBE（分子束磊晶）的特徵，何者正確？
- A在大氣壓下高速成長厚膜
- B在超高真空中將原料以分子束供應至基板，可在原子層等級精密控制膜厚與組成
- C將晶圓浸入液體原料中使其成長
在MBE中，以淺角度將電子束照射到成長中的表面，並由其繞射圖樣即時觀察成長情形的手法為下列何者？
- ASIMS
- BRHEED（反射式高能電子繞射）
- CXPS
查看答案與解析
正確答案：B. RHEED（反射式高能電子繞射）
RHEED是以1～3°左右的掠射角，將10～30 keV的電子束照射到成長中的表面，並以螢光屏觀察繞射圖樣的手法。可得知表面的平坦程度與重構結構，且每成長一個原子層，表面的凹凸就會週期性變化而使強度振盪，因此能即時計算已成長的層數。這是電子束不會被氣體分子散射的超高真空MBE才有的觀察方法。
解析中的「MBE(分子束磊晶)」
MBE是在10⁻⁸ Pa左右的超高真空裝置內，將原料加熱成分子（原子）束照射到基板上以成長晶體的方法。
下列關於MBE（分子束磊晶）的特徵，何者正確？這是電子束不會被氣體分子散射的超高真空MBE才有的觀察方法。
在MBE中，以淺角度將電子束照射到成長中的表面，並由其繞射圖樣即時觀察成長情形的手法為下列何者？薄層與陡峭界面的控制則是MOCVD與MBE比較擅長。
從熔融金屬的溶液等使晶體在基板上析出而成長的方法為下列何者？
出現「MBE(分子束磊晶)」的題目（3題）
相關名詞
MOCVD(有機金屬化學氣相沉積) HEMT(高電子遷移率電晶體) GaAs(砷化鎵) 4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長