什麼是HVPE(氫化物氣相磊晶)
使用氯化氫與鎵反應生成的氯化鎵與氨的氣相成長法。成長速度非常快，用於成長可製作GaN自立基板的厚晶體。
日文名稱: HVPE(ハイドライド気相成長)
「HVPE(氫化物氣相磊晶)」出現在1領域的1道練習題中（磊晶成長等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習HVPE(氫化物氣相磊晶)的題目
為了製作GaN自立基板，而用來高速成長厚GaN層的方法為下列何者？
- AALD（原子層沉積）
- BHVPE（氫化物氣相磊晶）
- C熱氧化
解析中的「HVPE(氫化物氣相磊晶)」
HVPE是使氯化氫流過高溫的鎵以生成氯化鎵（GaCl），再與氨反應以成長GaN的方法，每小時可達數十～數百µm，是MOCVD的數十倍速度。
為了製作GaN自立基板，而用來高速成長厚GaN層的方法為下列何者？
出現「HVPE(氫化物氣相磊晶)」的題目（1題）
相關名詞
GaN(氮化鎵) MOCVD(有機金屬化學氣相沉積) 4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長