什麼是HDP-CVD(高密度電漿化學氣相沉積)
使用高密度電漿，在成膜的同時以離子濺射削去溝槽入口處的薄膜並進行沉積的CVD。一直用於抑制空洞，以絕緣膜填充狹窄的溝槽。
日文名稱: HDP-CVD(高密度プラズマCVD)
「HDP-CVD(高密度電漿化學氣相沉積)」出現在1領域的1道練習題中（薄膜沉積（CVD與PVD）等）。
這個名詞所屬的領域: 薄膜沉積（CVD與PVD）
練習HDP-CVD(高密度電漿化學氣相沉積)的題目
高密度電漿CVD（HDP-CVD）一直被用於狹窄溝槽之絕緣膜填充，其理由為下列何者？
- A因為在成膜的同時，以離子濺射削去開口部的薄膜，可抑制空洞而完成填充
- B因為成膜溫度高達1000 ℃以上
- C因為只能沉積金屬膜
解析中的「HDP-CVD(高密度電漿化學氣相沉積)」
HDP-CVD在10¹¹ cm⁻³以上的高密度電漿中成膜的同時，利用基板偏壓引入的氬等離子，從斜向削去開口部邊角的薄膜，因此可由底部依序填滿。
高密度電漿CVD（HDP-CVD）一直被用於狹窄溝槽之絕緣膜填充，其理由為下列何者？
出現「HDP-CVD(高密度電漿化學氣相沉積)」的題目（1題）
相關名詞
CVD(化學氣相沉積) 電漿 STI(淺溝槽隔離) 反應式濺鍍 真空蒸鍍 區域選擇性沉積 旋轉塗佈 階梯覆蓋率 電鍍 磁控濺鍍