ラインエッジラフネス(LER)란?
らいんえっじらふねす
微細なレジストのパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸。線幅のばらつき(LWR)の原因となり、トランジスタの特性のばらつきにつながる。
일본어 명칭: ラインエッジラフネス(LER)
분야: 포토리소그래피
관련 용어
開口数(NA) 反射防止膜(BARC) 液浸露光 位相シフトマスク 焦点深度(DOF) 化学増幅型レジスト ArFエキシマレーザー EUV露光 High-NA EUV OPC(光学近接効果補正)
らいんえっじらふねす
微細なレジストのパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸。線幅のばらつき(LWR)の原因となり、トランジスタの特性のばらつきにつながる。
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開口数(NA) 反射防止膜(BARC) 液浸露光 位相シフトマスク 焦点深度(DOF) 化学増幅型レジスト ArFエキシマレーザー EUV露光 High-NA EUV OPC(光学近接効果補正)